制造商型号: | SI1021R-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SI1021R-T1-GE3
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SI1021R-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI1021R-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 190 mA
漏源电阻 4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 1.7 nC
耗散功率 250 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
外形参数
高度 0.8 mm
长度 1.575 mm
宽度 0.76 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1021R-GE3
单位重量 2 mg
库存: 52326
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 6.548405 | 6.55 |
10 | 5.588724 | 55.89 |
100 | 4.172915 | 417.29 |
500 | 3.278718 | 1639.36 |
1000 | 2.533555 | 2533.55 |
品牌其他型号
SI1021R-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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