制造商型号: | SI7463DP-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SI7463DP-T1-GE3
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SI7463DP-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI7463DP-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 18.6 A
漏源电阻 9.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 121 nC
耗散功率 5.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 100 ns
正向跨导(Min) 50 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 200 ns
典型接通延迟时间 20 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7463DP-GE3
单位重量 506.600 mg
SI7463DP-T1-GE3 同类别型号
库存: 2171
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 35.629241 | 35.63 |
10 | 32.015958 | 320.16 |
100 | 25.729853 | 2572.99 |
500 | 21.139849 | 10569.92 |
1000 | 17.51599 | 17515.99 |
品牌其他型号
SI7463DP-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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