制造商型号： | RW1C026ZPT2CR |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ROHM(罗姆) RW1C026ZPT2CR
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RW1C026ZPT2CR 中文资料
数据手册PDF
RW1C026ZPT2CR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 50 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 10 nC
耗散功率 700 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 850 ns
正向跨导（Min） 2.2 S
上升时间 290 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 2.55 us
典型接通延迟时间 170 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RW1C026ZP
单位重量 6 mg
库存： 8000
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 4.94241 | 4.94 |
| 10 | 3.743875 | 37.44 |
| 25 | 3.375666 | 84.39 |
| 100 | 1.780504 | 178.05 |
| 250 | 1.762463 | 440.62 |
| 500 | 1.578112 | 789.06 |
| 1000 | 1.228189 | 1228.19 |
| 2500 | 1.123781 | 2809.45 |
品牌其他型号
RW1C026ZPT2CR品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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