制造商型号: | RQ7E110AJTCR |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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ROHM(罗姆) RQ7E110AJTCR
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RQ7E110AJTCR 中文资料
数据手册PDF
RQ7E110AJTCR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 11 A
漏源电阻 6.8 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 22 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 79 ns
正向跨导(Min) 13 S
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 87 ns
典型接通延迟时间 22 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ7E110AJ
单位重量 10 mg
库存: 2932
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 11.367541 | 11.37 |
10 | 9.9466 | 99.47 |
25 | 9.346097 | 233.65 |
100 | 6.783457 | 678.35 |
250 | 6.542267 | 1635.57 |
500 | 5.667955 | 2833.98 |
1000 | 4.823791 | 4823.79 |
品牌其他型号
RQ7E110AJTCR品牌厂家:ROHM
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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