RQ7E110AJTCR
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
耗散功率 1.5 W
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 2410pF @15VVds
下降时间 79 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.5W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSMT-8
封装 TSMT-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
RQ7E110AJTCR | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | MOSFET Nch 30V 11A Si MOSFET | 搜索库存 |