制造商型号: | IRFH6200TRPBF |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 20V 49A 8-PQFN |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 自营 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IRFH6200TRPBF
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IRFH6200TRPBF 中文资料
数据手册PDF
IRFH6200TRPBF 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 990 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 155 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
外形参数
高度 0.83 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFH6200TRPBF SP001575628
单位重量 122.136 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
4000 | 7.175667 | 28702.67 |
8000 | 6.909843 | 55278.74 |
品牌其他型号
IRFH6200TRPBF品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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