制造商型号: | SI6415DQ-T1-E3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SI6415DQ-T1-E3
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SI6415DQ-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI6415DQ-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.5 A
漏源电阻 30 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 70 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI6415DQ-E3
单位重量 158 mg
库存: 2846
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 22.433322 | 22.43 |
10 | 20.141746 | 201.42 |
100 | 16.184556 | 1618.46 |
500 | 13.297171 | 6648.59 |
1000 | 11.017656 | 11017.66 |
品牌其他型号
SI6415DQ-T1-E3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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