锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

SI6415DQ-T1-E3

SI6415DQ-T1-E3

数据手册.pdf

P 沟道 30 V 0.019 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TSSOP-8

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-Pin TSSOP T/R


富昌:
单 P 沟道 30 V 0.019 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TSSOP-8


Newark:
# VISHAY  SI6415DQ-T1-E3  MOSFET Transistor, P Channel, -6.5 A, -30 V, 30 mohm, -10 V, -1 V


SI6415DQ-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.03 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.5 W

漏源极电压Vds -30.0 V

漏源击穿电压 -30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 6.50 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSSOP

外形尺寸

长度 4.5 mm

高度 1 mm

封装 TSSOP

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI6415DQ-T1-E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI6415DQ-T1-E3
型号 制造商 描述 购买
SI6415DQ-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 P 沟道 30 V 0.019 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TSSOP-8 搜索库存