制造商型号: | TPN8R903NL,LQ |
制造商: | Toshiba (东芝) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 20A TSON |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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Toshiba(东芝) TPN8R903NL,LQ
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TPN8R903NL,LQ 中文资料
数据手册PDF
TPN8R903NL,LQ 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 37 A
漏源电阻 10.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.3 V
栅极电荷 9.8 nC
耗散功率 22 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.1 ns
上升时间 2.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 8.3 ns
外形参数
高度 0.85 mm
长度 3.1 mm
宽度 3.1 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
库存: 1810
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 1.170366 | 3511.10 |
品牌其他型号
TPN8R903NL,LQ品牌厂家:Toshiba
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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