制造商型号: | BS870-7-F |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) BS870-7-F
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BS870-7-F 中文资料
数据手册PDF
BS870-7-F 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 250 mA
漏源电阻 5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 80 mS
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 5 ns
典型接通延迟时间 2 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode Field Effect Transistor
单位重量 8 mg
库存: 33692
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
20 | 0.247705 | 4.95 |
200 | 0.181866 | 36.37 |
600 | 0.169772 | 101.86 |
2000 | 0.157679 | 315.36 |
10000 | 0.152304 | 1523.04 |
品牌其他型号
BS870-7-F品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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