锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
BS870-7-F

BS870-7-F

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

N沟道 60V 250mA

As an alternative to traditional transistors, the power MOSFET from Zetex can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 300 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

BS870-7-F中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 250 mA

漏源极电阻 5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 mW

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 80.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 250 mA

输入电容Ciss 50pF @10VVds

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

BS870-7-F引脚图与封装图
BS870-7-F引脚图

BS870-7-F引脚图

BS870-7-F封装图

BS870-7-F封装图

BS870-7-F封装焊盘图

BS870-7-F封装焊盘图

在线购买BS870-7-F
型号 制造商 描述 购买
BS870-7-F Diodes 美台 N沟道 60V 250mA 搜索库存
替代型号BS870-7-F
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BS870-7-F

品牌： Diodes 美台

封装： SOT-23 N-Channel 60V 250mA 3.5Ω

当前型号

N沟道 60V 250mA

当前型号

型号： BS870-7

品牌： 美台

封装： SOT23 N-Channel 60V 250mA 3.5Ω

类似代替

N-沟道增强型MOSFET低导通电阻•低栅极阈值电压•低输入电容•开关速度快•低输入/输出漏•铅，卤素和无锑，符合RoHS标准的“绿色”设备（附注1及2）

BS870-7-F和BS870-7的区别

型号： BS870

品牌： 美台

封装：

功能相似

DMOS晶体管（ N沟道） DMOS Transistors N-Channel

BS870-7-F和BS870的区别