制造商型号: | BVSS138LT1G |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ON(安森美) BVSS138LT1G
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BVSS138LT1G 中文资料
数据手册PDF
BVSS138LT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 3.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 850 mV
栅极电荷 -
耗散功率 225 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 100 mS
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 20 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥4.735036 总价:¥4.74 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 4.735036 | 4.74 |
10 | 3.503927 | 35.04 |
100 | 1.981613 | 198.16 |
500 | 1.312553 | 656.28 |
1000 | 1.006315 | 1006.32 |
品牌其他型号
BVSS138LT1G品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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