制造商型号： | IRFBE30SPBF |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
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SILICONIX(威世) IRFBE30SPBF
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IRFBE30SPBF 中文资料
数据手册PDF
IRFBE30SPBF 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 4.1 A
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 78 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
外形参数
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 17.334 | 17.33 |
| 10 | 15.568099 | 155.68 |
| 100 | 12.754574 | 1275.46 |
| 500 | 10.857801 | 5428.90 |
| 1000 | 9.157228 | 9157.23 |
品牌其他型号
IRFBE30SPBF品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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