制造商型号： | HN1C03FU-B,LF |
制造商： | Toshiba (东芝) |
产品类别： | 双极晶体管预偏置 |
商品描述： | NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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Toshiba(东芝) HN1C03FU-B,LF
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HN1C03FU-B,LF 中文资料
数据手册PDF
HN1C03FU-B,LF 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 20 V
集电极—基极电压 50 V
发射极 - 基极电压 25 V
饱和电压 42 mV
最大直流电集电极电流 300 mA
耗散功率 200 mW
增益带宽产品 30 MHz
直流集电极 200
直流电流增益（Max） 1200
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 6.800 mg
库存： 3000
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 4.571729 | 4.57 |
| 10 | 3.360839 | 33.61 |
| 25 | 2.940733 | 73.52 |
| 100 | 1.596398 | 159.64 |
| 250 | 1.587997 | 397.00 |
| 500 | 1.302325 | 651.16 |
| 1000 | 0.966241 | 966.24 |
