制造商型号: | HN1C01FU-Y,LF |
制造商: | Toshiba (东芝) |
产品类别: | 双极晶体管预偏置 |
商品描述: | NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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Toshiba(东芝) HN1C01FU-Y,LF
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HN1C01FU-Y,LF 中文资料
数据手册PDF
HN1C01FU-Y,LF 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极—基极电压 60 V
发射极 - 基极电压 5 V
饱和电压 100 mV
最大直流电集电极电流 150 mA
耗散功率 200 mW
增益带宽产品 80 MHz
直流集电极 120
直流电流增益(Max) 400
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 6.800 mg
库存: 5740
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 3.089006 | 3.09 |
10 | 2.520629 | 25.21 |
25 | 2.115352 | 52.88 |
100 | 1.032964 | 103.30 |
250 | 1.016653 | 254.16 |
500 | 0.861709 | 430.85 |
1000 | 0.598649 | 598.65 |