制造商型号： | TP65H035WSQA |
制造商： | Transphorm |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | GANFET N-CH 650V 47A TO247-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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Transphorm TP65H035WSQA
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TP65H035WSQA 中文资料
数据手册PDF
TP65H035WSQA 规格参数
关键信息
制造商 Transphorm
商标 Transphorm
技术类参数
技术 GaN
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 47.2 A
漏源电阻 41 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.4 V
栅极电荷 24 nC
耗散功率 187 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 98 ns
典型接通延迟时间 69 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
库存： 205
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 264.930899 | 264.93 |
| 10 | 235.367046 | 2353.67 |
| 100 | 205.865357 | 20586.54 |
| 500 | 175.671191 | 87835.60 |
品牌其他型号
TP65H035WSQA品牌厂家：Transphorm
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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