制造商型号: | TP65H050G4BS |
制造商: | Transphorm |
产品类别: | 未分类 |
商品描述: | MOSFET GAN FET 650V 34A TO263 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
提示: | 联系在线客服,获得更多TP65H050G4BS价格库存等采购信息! |
Transphorm TP65H050G4BS
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
TP65H050G4BS 中文资料
数据手册PDF
TP65H050G4BS 规格参数
关键信息
制造商 Transphorm
商标 Transphorm
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 34 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.8 V
栅极电荷 16 nC
耗散功率 119 W
通道模式 Enhancement
下降时间 10.9 ns
上升时间 11.3 ns
典型关闭延迟时间 88.3 ns
典型接通延迟时间 49.2 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
其它
发货限制:
品牌其他型号
TP65H050G4BS品牌厂家:Transphorm
,所属分类: 未分类
,可在锐单商城现货采购TP65H050G4BS、查询TP65H050G4BS代理商; TP65H050G4BS价格批发咨询客服;这里拥有
TP65H050G4BS中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到
TP65H050G4BS替代型号
、
TP65H050G4BS数据手册PDF。