制造商型号: | BSC082N10LSGATMA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
提示: | 联系在线客服,获得更多BSC082N10LSGATMA1价格库存等采购信息! |
INFINEON(英飞凌) BSC082N10LSGATMA1
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
BSC082N10LSGATMA1 中文资料
数据手册PDF
BSC082N10LSGATMA1 规格参数
属性
参数值
制造商型号
BSC082N10LSGATMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
OptiMOS™
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
13.8A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
8.2mOhm @ 100A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 110µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
104nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
7400pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
156W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1
封装/外壳
8-PowerTDFN
库存: 6585
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 36.890374 | 36.89 |
10 | 30.592926 | 305.93 |
100 | 24.347647 | 2434.76 |
500 | 20.602218 | 10301.11 |
1000 | 17.480696 | 17480.70 |
2000 | 16.606756 | 33213.51 |
品牌其他型号
BSC082N10LSGATMA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
,可在锐单商城现货采购BSC082N10LSGATMA1、查询BSC082N10LSGATMA1代理商; BSC082N10LSGATMA1价格批发咨询客服;这里拥有
BSC082N10LSGATMA1中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到
BSC082N10LSGATMA1替代型号
、
BSC082N10LSGATMA1数据手册PDF。