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BSC082N10LSGATMA1

BSC082N10LSGATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  BSC082N10LSGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0068 ohm, 10 V, 1.85 V

OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列

Infineon
.
* OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。

得捷:
MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON


欧时:
Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC082N10LSGATMA1, 100 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 100 A, 0.0068 ohm, TDSON, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 13.8A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 13.8A 8-Pin TDSON T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 13.8A 8-Pin TDSON EP


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 13.8A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R


Newark:
# INFINEON  BSC082N10LSGATMA1  MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 100 V, 0.0068 ohm, 10 V, 1.85 V


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8


BSC082N10LSGATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 156 W

针脚数 8

漏源极电阻 0.0068 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 156 W

阈值电压 1.85 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 13.8A

上升时间 24 ns

输入电容Ciss 5600pF @50VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 156W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

长度 6.1 mm

宽度 5.35 mm

高度 1.1 mm

封装 PG-TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 车用, 电源管理, 工业, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Audio, 电机驱动与控制, Uninterruptable power supplies UPS, Automotive, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Motor Drive & Control, Class D audi, 音频, Power Management

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BSC082N10LSGATMA1引脚图与封装图
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BSC082N10LSGATMA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  BSC082N10LSGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0068 ohm, 10 V, 1.85 V 搜索库存