制造商型号： | IRLD024PBF |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) IRLD024PBF
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IRLD024PBF 中文资料
数据手册PDF
IRLD024PBF 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 1.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 41 ns
正向跨导（Min） 3.7 S
上升时间 110 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 11 ns
外形参数
高度 3.37 mm
长度 6.29 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 894.062 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 13.566823 | 13.57 |
| 10 | 11.25036 | 112.50 |
| 100 | 8.954103 | 895.41 |
| 500 | 7.576494 | 3788.25 |
| 1000 | 6.428509 | 6428.51 |
品牌其他型号
IRLD024PBF品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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