制造商型号： | ZXMN2A01FTA |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) ZXMN2A01FTA
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ZXMN2A01FTA 中文资料
数据手册PDF
ZXMN2A01FTA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.2 A
漏源电阻 120 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 3 nC
耗散功率 625 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.62 ns
正向跨导（Min） 6.1 S
上升时间 5.21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.47 ns
典型接通延迟时间 2.49 ns
外形参数
高度 1.02 mm
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存： 47699
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 6.08756 | 6.09 |
| 10 | 4.90732 | 49.07 |
| 100 | 3.339463 | 333.95 |
| 500 | 2.504598 | 1252.30 |
| 1000 | 1.878449 | 1878.45 |
品牌其他型号
ZXMN2A01FTA品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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