制造商型号: | SI8810EDB-T2-E1 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SI8810EDB-T2-E1
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SI8810EDB-T2-E1 中文资料
数据手册PDF
SI8810EDB-T2-E1 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.9 A
漏源电阻 72 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 8 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
外形参数
高度 0.65 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 45.104 mg
库存: 4881
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 4.694713 | 4.69 |
10 | 3.45623 | 34.56 |
30 | 3.240216 | 97.21 |
100 | 3.0098 | 300.98 |
500 | 2.908994 | 1454.50 |
品牌其他型号
SI8810EDB-T2-E1品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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