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SI8810EDB-T2-E1

SI8810EDB-T2-E1

数据手册.pdf
SI8810EDB-T2-E1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

阈值电压 0.9 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 XFBGA-4

外形尺寸

封装 XFBGA-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

SI8810EDB-T2-E1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI8810EDB-T2-E1 Vishay Semiconductor 威世 Trans MOSFET N-CH 20V 2.9A 4Pin Micro Foot T/R 搜索库存