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SiC(碳化硅(SiC)功率半导体制造商) UF3SC065007K4S

SiC(碳化硅(SiC)功率半导体制造商) UF3SC065007K4S
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

UF3SC065007K4S

制造商:

SiC (碳化硅(SiC)功率半导体制造商)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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客服:

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UF3SC065007K4S 中文资料

UF3SC065007K4S 规格参数

关键信息

制造商 UnitedSiC

商标名 SiC FET

商标 UnitedSiC

技术类参数

技术 SiC

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 650 V

漏极电流 120 A

漏源电阻 9 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 6 V

栅极电荷 214 nC

耗散功率 789 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 14 ns

上升时间 46 ns

晶体管类型 1 - N Channel

典型关闭延迟时间 72 ns

典型接通延迟时间 36 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

单位重量 6 g

库存: 1556

货期:

工作日(7~10天)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥909.656857 总价:¥909.66
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 909.656857 909.66
25 868.26487 21706.62
UF3SC065007K4S品牌厂家:SiC ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购UF3SC065007K4S、查询UF3SC065007K4S代理商; UF3SC065007K4S价格批发咨询客服;这里拥有 UF3SC065007K4S中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 UF3SC065007K4S替代型号UF3SC065007K4S数据手册PDF