制造商型号： | TK49N65W,S1F |
制造商： | Toshiba (东芝) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO2 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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Toshiba(东芝) TK49N65W,S1F
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TK49N65W,S1F 中文资料
数据手册PDF
TK49N65W,S1F 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 49.2 A
漏源电阻 55 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 160 nC
耗散功率 400 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 70 ns
外形参数
高度 20.95 mm
长度 15.94 mm
宽度 5.02 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 76.10872 | 76.11 |
| 10 | 69.956999 | 699.57 |
| 100 | 59.079822 | 5907.98 |
| 500 | 52.555983 | 26277.99 |
| 1000 | 48.206483 | 48206.48 |
品牌其他型号
TK49N65W,S1F品牌厂家：Toshiba
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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