制造商型号: | FDC655BN |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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ON(安森美) FDC655BN
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FDC655BN 中文资料
数据手册PDF
FDC655BN 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.3 A
漏源电阻 25 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 13 nC
耗散功率 1.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 20 S
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 8 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FDC655BN_NL
单位重量 36 mg
库存: 46867
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.814379 | 5.81 |
10 | 5.005422 | 50.05 |
100 | 3.738899 | 373.89 |
500 | 2.937779 | 1468.89 |
1000 | 2.270136 | 2270.14 |
品牌其他型号
FDC655BN品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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