制造商型号: | 2N7002-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) 2N7002-T1-GE3
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2N7002-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
2N7002-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 115 mA
漏源电阻 7.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 -
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 2N7002-GE3
单位重量 8 mg
库存: 6581
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 4.972202 | 4.97 |
10 | 4.226372 | 42.26 |
100 | 2.937329 | 293.73 |
500 | 2.293676 | 1146.84 |
1000 | 1.864328 | 1864.33 |
品牌其他型号
2N7002-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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