制造商型号: | IRF300P226 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET IFX OPTIMOS TO247 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IRF300P226
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IRF300P226 中文资料
数据手册PDF
IRF300P226 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 StrongIRFET
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 19 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 191 nC
耗散功率 556 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 32 ns
正向跨导(Min) 97 S
上升时间 44 ns
典型关闭延迟时间 79 ns
典型接通延迟时间 25 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF300P226 SP001582442
单位重量 6 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 69.354132 | 69.35 |
10 | 62.626046 | 626.26 |
100 | 51.849738 | 5184.97 |
500 | 45.150009 | 22575.00 |
1000 | 39.324262 | 39324.26 |
品牌其他型号
IRF300P226品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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