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IRF300P226

IRF300P226

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 300 V, 0.016 ohm, 10 V, 4 V

通孔 N 通道 100A(Tc) 556W(Tc) TO-247AC


欧时:
Infineon MOSFET IRF300P226


得捷:
MOSFET N-CH 300V 100A TO247AC


立创商城:
N沟道 300V 100A


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 300 V, 0.016 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin3+Tab TO-247AC Tube


安富利:
Transistor MOSFET N-CH 300V 100A 2-Pin TO-247AC Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 53A; 313W; TO247AC


Verical:
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin3+Tab TO-247AC Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 300V 100A TO247AC / N-Channel 300 V 100A Tc 556W Tc Through Hole TO-247AC


IRF300P226中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.016 Ω

耗散功率 556 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 300 V

上升时间 44 ns

输入电容Ciss 10030pF @50VVds

下降时间 32 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 556000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-247

外形尺寸

封装 TO-247

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRF300P226引脚图与封装图
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IRF300P226 Infineon 英飞凌 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 300 V, 0.016 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存