制造商型号： | BSB015N04NX3GXUMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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INFINEON(英飞凌) BSB015N04NX3GXUMA1
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BSB015N04NX3GXUMA1 规格参数
属性
参数值
制造商型号
BSB015N04NX3GXUMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
OptiMOS™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
36A (Ta), 180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.5mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
142nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
12000pF @ 20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
MG-WDSON-2, CanPAK M™
封装/外壳
3-WDSON
BSB015N04NX3GXUMA1 同类别型号
库存： 7500
价格(含增值税)
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