BSB015N04NX3G、BSB015N04NX3GXUMA1对比区别

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型号 BSB015N04NX3G BSB015N04NX3GXUMA1

描述 OptiMOS3功率MOSFET OptiMOS3 Power-MOSFET晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 40 V, 0.0013 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

引脚数 - 7

封装 WDSON WDSON-2

安装方式 Surface Mount -

额定功率 - 89 W

针脚数 - 2

漏源极电阻 - 0.0013 Ω

极性 N-CH N-CH

耗散功率 - 2.8 W

阈值电压 - 4 V

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 35A 35A

上升时间 6.4 ns 6.4 ns

输入电容(Ciss) - 9000pF @20V(Vds)

下降时间 7.6 ns 7.6 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

耗散功率(Max) - 2800 mW

封装 WDSON WDSON-2

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

工作温度 -40℃ ~ 150℃ -