制造商型号: | TSM10NC65CF C0G |
制造商: | Taiwan Semiconductor (台湾集成电路制造) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 650V 10A ITO220S |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造) TSM10NC65CF C0G
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TSM10NC65CF C0G 中文资料
数据手册PDF
TSM10NC65CF C0G 规格参数
关键信息
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 750 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 34 nC
耗散功率 45 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 14 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM10NC65CF
单位重量 1.700 g
库存: 879
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 18.781156 | 18.78 |
10 | 16.828904 | 168.29 |
25 | 15.97881 | 399.47 |
100 | 11.984107 | 1198.41 |
250 | 11.869691 | 2967.42 |
500 | 10.157887 | 5078.94 |
品牌其他型号
TSM10NC65CF C0G品牌厂家:Taiwan Semiconductor
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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