IXTP6N50D2
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 500 V
上升时间 72 ns
输入电容Ciss 2800pF @25VVds
下降时间 43 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTP6N50D2 | IXYS Semiconductor | TO-220AB N-CH 500V | 搜索库存 |