制造商型号: | RQ3E080GNTB |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ROHM(罗姆) RQ3E080GNTB
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RQ3E080GNTB 中文资料
数据手册PDF
RQ3E080GNTB 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 16.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 5.8 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.4 ns
正向跨导(Min) 7 S
上升时间 3.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17.3 ns
典型接通延迟时间 6.9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ3E080GN
库存: 1605
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
10 | 2.930596 | 29.31 |
品牌其他型号
RQ3E080GNTB品牌厂家:ROHM
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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