制造商型号： | FDMS86200 |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 150V POWER56 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ON(安森美) FDMS86200
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FDMS86200 中文资料
数据手册PDF
FDMS86200 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 52 A
漏源电阻 15 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 33 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.8 ns
正向跨导（Min） 33 S
上升时间 7.9 ns
晶体管类型 N-Channel
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 13 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 N-Channel Power Trench MOSFET
单位重量 68.100 mg
库存： 1841
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 31.495729 | 31.50 |
| 10 | 28.262326 | 282.62 |
| 100 | 22.71405 | 2271.41 |
| 500 | 18.661518 | 9330.76 |
| 1000 | 15.462367 | 15462.37 |
品牌其他型号
FDMS86200品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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