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FDMS86200
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS86200  晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 150 V, 0.015 ohm, 10 V, 2.5 V

The is a N-channel MOSFET is produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance.

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Shielded gate MOSFET technology
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Advanced package and silicon combination for low RDS ON and high efficiency
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MSL1 Robust package design
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100% UIL tested
FDMS86200中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.015 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 104 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 9.6A

上升时间 7.9 ns

输入电容Ciss 2715pF @75VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 5.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 104W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DualCool-56-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 6 mm

高度 1.05 mm

封装 DualCool-56-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

FDMS86200引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDMS86200 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS86200  晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 150 V, 0.015 ohm, 10 V, 2.5 V 搜索库存
替代型号FDMS86200
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDMS86200

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: Power N-Channel 150V 9.6A

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS86200  晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 150 V, 0.015 ohm, 10 V, 2.5 V

当前型号

型号: BSC190N15NS3GATMA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 150V 50A

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