制造商型号: | DMN65D8LW-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) DMN65D8LW-7
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DMN65D8LW-7 中文资料
数据手册PDF
DMN65D8LW-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 300 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 870 pC
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7.3 ns
正向跨导(Min) 80 mS
上升时间 2.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12.6 ns
典型接通延迟时间 2.7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
库存: 6157
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
10 | 0.272947 | 2.73 |
100 | 0.200677 | 20.07 |
300 | 0.187404 | 56.22 |
1000 | 0.17413 | 174.13 |
5000 | 0.16823 | 841.15 |
品牌其他型号
DMN65D8LW-7品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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