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DMN65D8LW-7

DMN65D8LW-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

集成电路

表面贴装型 N 通道 60 V 300mA(Ta) 300mW(Ta) SOT-323


立创商城:
N沟道 60V 300mA


得捷:
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323


贸泽:
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-10 100V SOT323 T&R; 3K


艾睿:
As an alternative to traditional transistors, the DMN65D8LW-7 power MOSFET from Diodes Zetex can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 432 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
MOSFET, N Channel, Trans, 60V 0.3A SOT323


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323


DMN65D8LW-7中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 3 Ω

极性 N-CH

耗散功率 0.432 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 0.3A

上升时间 2.8 ns

输入电容Ciss 22pF @25VVds

额定功率Max 350 mW

下降时间 7.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 432 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

DMN65D8LW-7引脚图与封装图
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