SQ2308CES-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.125 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.3 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 9 ns
下降时间 12 ns
工作温度Max 175 ℃
封装参数
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
封装 SOT-23
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
SQ2308CES-T1_GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SQ2308CES-T1_GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | SQ2308CES 系列 60 V 150 mOhm 表面贴装 N-沟道 Mosfet - SOT-23-3 | 搜索库存 |