制造商型号： | VN10LFTA |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) VN10LFTA
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VN10LFTA 中文资料
数据手册PDF
VN10LFTA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 150 mA
漏源电阻 5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 -
耗散功率 330 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导（Min） 100 mS
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 4 ns
典型接通延迟时间 3 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存： 46127
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 6.471792 | 6.47 |
| 10 | 5.501023 | 55.01 |
| 100 | 4.104965 | 410.50 |
| 500 | 3.224801 | 1612.40 |
| 1000 | 2.491987 | 2491.99 |
品牌其他型号
VN10LFTA品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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