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VN10LFTA

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Diodes(美台) 分立器件

VN10LFTA 编带

Create an effective common drain amplifier using this power MOSFET from Zetex. Its maximum power dissipation is 330 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with dmos technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

VN10LFTA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 150 mA

漏源极电阻 7.50 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 0.33 W

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 150 mA

输入电容Ciss 60pF @25VVds

额定功率Max 330 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 330mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

VN10LFTA引脚图与封装图
VN10LFTA引脚图

VN10LFTA引脚图

VN10LFTA封装图

VN10LFTA封装图

VN10LFTA封装焊盘图

VN10LFTA封装焊盘图

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型号 制造商 描述 购买
VN10LFTA Diodes 美台 VN10LFTA 编带 搜索库存
替代型号VN10LFTA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： VN10LFTA

品牌： Diodes 美台

封装： TO-236-3 N-Channel 60V 150mA 7.5Ω

当前型号

VN10LFTA 编带

当前型号

型号： BSS123-7-F

品牌： 美台

封装： SOT-23 N-Channel 100V 170mA 10Ω

类似代替

三极管

VN10LFTA和BSS123-7-F的区别

型号： 2N7002K-7

品牌： 美台

封装： SOT-23 N-Channel 60V 300mA

类似代替

2N7002K 系列 60 V 2 Ohm N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-23-3

VN10LFTA和2N7002K-7的区别

型号： MMBF170-7-F

品牌： 美台

封装： TO-236-3 N-Channel 60V 500mA 5.3Ω 40pF

类似代替

MMBF170-7-F 编带

VN10LFTA和MMBF170-7-F的区别