制造商型号： | ZVN3320FTA |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) ZVN3320FTA
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ZVN3320FTA 中文资料
数据手册PDF
ZVN3320FTA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 60 mA
漏源电阻 25 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 330 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导（Min） 75 mS
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 6 ns
典型接通延迟时间 5 ns
外形参数
高度 1.02 mm
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 8 mg
库存： 21767
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 6.374349 | 6.37 |
| 10 | 5.461659 | 54.62 |
| 100 | 3.797085 | 379.71 |
| 500 | 2.964361 | 1482.18 |
| 1000 | 2.409505 | 2409.50 |
品牌其他型号
ZVN3320FTA品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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