制造商型号: | FDC658AP |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 30V 4A SSOT6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) FDC658AP
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FDC658AP 中文资料
数据手册PDF
FDC658AP 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 44 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 8.1 nC
耗散功率 1.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 8.4 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 7 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 36 mg
库存: 3279
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 7.424501 | 7.42 |
10 | 6.310826 | 63.11 |
100 | 4.386643 | 438.66 |
500 | 3.425171 | 1712.59 |
1000 | 2.783941 | 2783.94 |
品牌其他型号
FDC658AP品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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