FDC658AP
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDC658AP中文资料参数规格
技术参数
额定功率 1.6 W
针脚数 6
漏源极电阻 0.044 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.6 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 30 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 4.00 mA
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 470pF @15VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.6 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 TSOT-23-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDC658AP引脚图与封装图 
FDC658AP引脚图
FDC658AP封装焊盘图
在线购买FDC658AP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDC658AP | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC658AP 晶体管, MOSFET, P沟道, 4 A, -30 V, 0.044 ohm, -10 V, -1.8 V | 搜索库存 |
替代型号FDC658AP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDC658AP 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SSOT P-Channel 30V 4mA 44mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC658AP 晶体管, MOSFET, P沟道, 4 A, -30 V, 0.044 ohm, -10 V, -1.8 V | 当前型号 |
| 型号： FDC655BN 品牌： 飞兆/仙童 封装： SSOT N-Channel 30V 6.3A 25mohms 570pF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC655BN 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V | FDC658AP和FDC655BN的区别 |
| 型号： SI3457DV 品牌： 飞兆/仙童 封装： SSOT P-Channel 30V 4A 50mohms | 类似代替 | 单P沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET Single P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET | FDC658AP和SI3457DV的区别 |
| 型号： NTUD3170NZT5G 品牌： 安森美 封装： SOT-963 N-Channel 20V 280mA | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR NTUD3170NZT5G. 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20V, SOT-963 | FDC658AP和NTUD3170NZT5G的区别 |