DIODES(美台) ZXTC2062E6TA

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

晶体管极性 NPN, PNP

配置 Dual

击穿电压(集电极-发射极) 20 V, - 20 V

集电极—基极电压 100 V, - 25 V

发射极 - 基极电压 7 V, - 7 V

饱和电压 140 mV, - 190 mV

最大直流电集电极电流 4 A, - 3.5 A

耗散功率 1.7 W

增益带宽产品 215 MHz, 290 MHz

直流集电极 300 at 10 mA, 2 V at NPN, 280 at 1 A, 2 V at NPN, 140 at 4 A, 2 V at NPN, 300 at 10 mA, 2 V at PNP, 170 at 1 A, 2 V at PNP, 65 at 3.5 A, 2 V at PNP

直流电流增益（Max） 300 at 10 mA, 2 V

技术 Si

高度 1.3 mm

长度 3.1 mm

宽度 1.8 mm

产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格 SMD/SMT

产品类型 BJTs - Bipolar Transistors

单位重量 15 mg