制造商型号: | ZXM61P02FTA |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) ZXM61P02FTA
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ZXM61P02FTA 中文资料
数据手册PDF
ZXM61P02FTA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 920 mA
漏源电阻 600 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 3.5 nC
耗散功率 806 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10.1 ns
正向跨导(Min) 0.56 S
上升时间 6.7 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 11.2 ns
典型接通延迟时间 2.9 ns
外形参数
高度 1.02 mm
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存: 41441
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.814776 | 5.81 |
10 | 4.525414 | 45.25 |
100 | 2.716512 | 271.65 |
500 | 2.515019 | 1257.51 |
1000 | 1.710302 | 1710.30 |
品牌其他型号
ZXM61P02FTA品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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