ZXM61P02F、ZXM61P02FTA、ZXM61P02FTC对比区别

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型号 ZXM61P02F ZXM61P02FTA ZXM61P02FTC

描述 DIODES INC.  ZXM61P02F  晶体管, MOSFET, P沟道, 900 mA, -20 V, 600 mohm, 4.5 V, -700 mVZXM61P02F 系列 20V 0.6 Ohm P-沟道 增强模式 垂直 DMOS FET-SOT-2320V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 MOS管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) - -20.0 V -20.0 V

额定电流 - -800 mA -800 mA

通道数 - 1 -

漏源极电阻 0.6 Ω 900 mΩ 900 mΩ

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 625 mW 0.806 W 625mW (Ta)

输入电容 - 150 pF 150 pF

栅电荷 - 3.50 nC -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 - 20 V -

栅源击穿电压 - ±12.0 V ±12.0 V

连续漏极电流(Ids) 900 mA 900 mA 900 mA

上升时间 - 6.7 ns 6.70 ns

输入电容(Ciss) - 150pF @15V(Vds) 150pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 625 mW -

下降时间 - 10.1 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

耗散功率(Max) - 806 mW 625mW (Ta)

针脚数 3 - -

阈值电压 700 mV - -

长度 - 3.04 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1.02 mm -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

军工级 Yes - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - EAR99 -