制造商型号: | MT3S111(TE85L,F) |
制造商: | Toshiba (东芝) |
产品类别: | 晶体管射频 |
商品描述: | RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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Toshiba(东芝) MT3S111(TE85L,F)
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MT3S111(TE85L,F) 中文资料
数据手册PDF
MT3S111(TE85L,F) 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术类参数
晶体管类型 Bipolar
技术 SiGe
晶体管极性 NPN
工作频率 11.5 GHz
直流集电极 200
击穿电压(集电极-发射极) 6 V
发射极 - 基极电压 0.6 V
集电极连续电流 100 mA
配置 Single
最大直流电集电极电流 100 mA
耗散功率 700 mW
物理类型
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
单位重量 12 mg
MT3S111(TE85L,F) 同类别型号
库存: 3295
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |