制造商型号: | FDN337N |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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ON(安森美) FDN337N
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FDN337N 中文资料
数据手册PDF
FDN337N 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.2 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 9 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 13 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 4 ns
外形参数
高度 1.12 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
零件号别名 FDN337N_NL
单位重量 36 mg
库存: 21135
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.800418 | 5.80 |
10 | 4.971787 | 49.72 |
100 | 3.711084 | 371.11 |
500 | 2.91631 | 1458.16 |
1000 | 2.253523 | 2253.52 |
品牌其他型号
FDN337N品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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