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SI1032R-T1-GE3

SI1032R-T1-GE3

数据手册.pdf

N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

The is a 1.5VGS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays and memories drivers.

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2000V Gate-source ESD protected
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Low-side switching
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Low ON-resistance
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Low threshold
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35ns Fast switching speed
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1.5V Rated voltage
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Halogen-free
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Ease in driving switches
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Low offset voltage
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Low-voltage operation
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High-speed circuits
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Low battery voltage operation
SI1032R-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 250 mW

阈值电压 700 mV

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids 200 mA

上升时间 25 ns

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 0.28 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-75

外形尺寸

长度 1.68 mm

宽度 0.86 mm

高度 0.8 mm

封装 SC-75

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI1032R-T1-GE3引脚图与封装图
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